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產(chǎn)品展示
  • Lumitek紅外顯示卡

    Lumitek紅外顯示卡 LUMITEK紅外顯示卡是以熒光體為基礎(chǔ)的化合物,用來吸收和“誘捕”來自短波的光能量,從更長(zhǎng)的紅外波長(zhǎng)激發(fā)后,以可見光的形式釋放儲(chǔ)存的光??梢杂^察到的局部輝光,跟存儲(chǔ)光能量和激發(fā)感應(yīng)區(qū)域的紅外光功率大小有關(guān)。

    型號(hào):
    更新日期:2024-04-15
    面議
  • 熱釋電紅外探測(cè)器

    熱釋電紅外探測(cè)器檢測(cè)燃燒材料(如木材,油或塑料)的典型光譜輻射。 NDIR氣體分析代表了熱釋電傳感器的另一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。 紅外輻射會(huì)影響傳感器的活動(dòng)區(qū)域。 由于熱釋電效應(yīng),溫度的有效變化在電極上產(chǎn)生電荷載流子。 與大多數(shù)競(jìng)爭(zhēng)者的LiTaO3芯片不同,Micro-Hybrid的熱釋電探測(cè)器使用基于MEMS技術(shù)的敏感元件。

    型號(hào):
    更新日期:2024-04-19
    面議
  • 紅外輻射源,TO39,帶反射鏡和濾光片A4

    紅外輻射源,TO39,帶反射鏡和濾光片A4 用于NDIR氣體分析和其他紅外測(cè)量應(yīng)用的紅外輻射源。MEMS紅外發(fā)射器的高性能膜由納米非晶碳組成,其膜溫度高達(dá)850°C。它可以實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期穩(wěn)定的高輻射輸出。填充氣體和濾光片的組合可優(yōu)化從UV到14 µm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的發(fā)射。反射器包裝形式適用于測(cè)量2 cm以上的截面。

    型號(hào):
    更新日期:2023-12-15
    面議
  • 紅外輻射源,TO46,帶蓋和A4濾光片

    紅外輻射源,TO46,帶蓋和A4濾光片 用于NDIR氣體分析和其他紅外測(cè)量應(yīng)用的紅外輻射源。MEMS紅外發(fā)射器的高性能薄膜由納米非晶碳組成,其薄膜溫度高達(dá)850°C。它可以實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期穩(wěn)定的高輻射輸出。填充氣體和濾光片的組合可優(yōu)化從UV到14 µm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的發(fā)射。發(fā)射器所需的低輸入功率還支持獨(dú)立和手持式應(yīng)用。

    型號(hào):JSIR350-5-BL-C-D2.55-1-A4
    更新日期:2023-12-15
    面議
  • 紅外輻射源,TO46,帶蓋和濾光片A1

    紅外輻射源,TO46,帶蓋和濾光片A1 用于NDIR氣體分析和其他紅外測(cè)量應(yīng)用的紅外輻射源。MEMS紅外發(fā)射器的高性能薄膜由納米非晶碳組成,其薄膜溫度高達(dá)850°C。它可以實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期穩(wěn)定的高輻射輸出。填充氣體和濾光片的組合可優(yōu)化從UV到5.5 µm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的發(fā)射。發(fā)射器所需的低輸入功率還支持獨(dú)立和手持式應(yīng)用。

    型號(hào):RPB-785
    更新日期:2023-12-15
    面議
  • JSIR 350-5紅外輻射源 紅外光源

    JSIR 350-5紅外輻射源 紅外光源:高性能紅外紅外輻射源,采用納米非晶碳膜。這種材料能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá)850°C的膜片溫度,提供高且長(zhǎng)期穩(wěn)定的輻射輸出。JSIR 350紅外紅外輻射源非常適合用于醫(yī)學(xué)、工業(yè)及其他高要求應(yīng)用領(lǐng)域的各種氣體分析應(yīng)用。其輸入功率僅為175毫瓦,因此該紅外輻射源也可用于移動(dòng)設(shè)備和手持設(shè)備。

    型號(hào):
    更新日期:2024-09-25
    面議
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